高分辨衍射MRD助力镓仁半导体8英寸氧化镓衬底全球首发

马尔文帕纳科亚太卓越应用中心X'Pert³ MRD XL高分辨衍射仪参与此次检测验证并与国内知名检测机构联合发布了检测结果。

本次测试样品为氧化镓8英寸衬底，取点共计5个，XRD摇摆曲线半高宽测试结果：22~26 arcsec。

图18英寸衬底XRD摇摆曲线半高宽第三方测试结果-（深圳平湖实验室）

本次测试样品为氧化镓8英寸衬底，取点共计5个，XRD摇摆曲线半高宽测试结果分别为：16.7 arcsec、16.2 arcsec、15.4 arcsec、15.3 arcsec、12.4 arcsec。

图2 8英寸衬底XRD摇摆曲线半高宽第三方测试结果-（马尔文帕纳科亚太卓越应用中心）

图3 马尔文帕纳科X'Pert³ MRD XL高分辨X射线衍射仪

此次联合发布的质量检测结果证明，镓仁半导体8英寸晶圆衬底质量能够满足硅基8英寸产线生产要求，这将大幅降低下游应用端研发的难度与成本，促进产业化应用的快速落地。目前，镓仁半导体氧化镓衬底已逐步实现产业化，将陆续为下游客户提供大尺寸高质量的氧化镓单晶衬底产品。

作为衬底研发生产关键检测设备之一的高分辨X射线衍射仪在半导体行业的成功案例远不止此，在中国12英寸SiC衬底的首发和后续生产商的工艺流程中，也同样有X'Pert³ MRD高分辨衍射仪和Omega/Theta单晶定向仪的身影。

无论是用于生长研究还是设备设计，马尔文帕纳科XRD技术对结构层质量、厚度、应力和合金组分进行测量的过程已成为电子和光电子多层半导体的研发核心所在。未来，马尔文帕纳科仍将在促进新型半导体材料研发、提升行业生产效率、提高产品质量和可靠性、推动工艺创新等方面，持续提供可靠的检测技术，为推动中国半导体行业的发展贡献马尔文帕纳科的力量。